[发明专利]降低太阳能电池裂片损伤的方法、太阳能电池及制备方法在审
| 申请号： | 202011609729.0 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114695592A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王俊;吴坚;蒋方丹 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯阳光能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 宋启超 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低太阳能电池裂片损伤的方法、太阳能电池及制备方法，其中所涉及降低太阳能电池裂片损伤的方法包括：扩散制结步骤，掩膜制作步骤，刻槽步骤，去掩膜步骤，去杂质玻璃步骤，正、背面钝化步骤，电极形成步骤，以及裂片步骤，本发明中基于掩膜制作步骤与刻槽步骤的设置，在获取分片电池时，其裂片位置处的边缘结区会被第一钝化层覆盖而不会直接暴露于外界环境中，如此能够有效抑制分片电池的边缘复合，进而提高分片电池的FF、VOC、JSC及效率。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 太阳能电池 裂片 损伤 方法 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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