[发明专利]降低太阳能电池裂片损伤的方法、太阳能电池及制备方法

说明书

本发明公开了一种降低太阳能电池裂片损伤的方法、太阳能电池及制备方法，其中所涉及降低太阳能电池裂片损伤的方法包括：扩散制结步骤，掩膜制作步骤，刻槽步骤，去掩膜步骤，去杂质玻璃步骤，正、背面钝化步骤，电极形成步骤，以及裂片步骤，本发明中基于掩膜制作步骤与刻槽步骤的设置，在获取分片电池时，其裂片位置处的边缘结区会被第一钝化层覆盖而不会直接暴露于外界环境中，如此能够有效抑制分片电池的边缘复合，进而提高分片电池的FF、VOC、JSC及效率。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，尤其涉及一种降低太阳能电池裂片损伤的方法、太阳能电池及制备方法。

背景技术

为了实现平价上网，光伏组件亟需持续提高输出功率并降低成本，推动组件技术不断创新，同时加速新技术的产业化应用。近年来，较为成熟的组件产品主要以切半组件和叠瓦组件为代表，这两种技术均需要将整片电池切成分片电池后再以串并联的方式实现正负极相连，由于分片电池的电流降低，可有效降低组件内部的热损耗。具体而言，切半组件一般是将整片电池对切后串联起来，每块分片电池的电流降低为整片电池的1/2，因此电流带来的失配损失减小，且电流在组件内部的自身损耗减少，相对普通组件输出功率提高10W左右；叠瓦组件则是将整片电池切成4片、5片、6片或者更多，如此使得分片电池的电流能够更为大幅的降低，而且作为高密度组件的代表，叠瓦组件不再使用焊带，相同组件面积内放置的电池片数量增加13％以上，进而使得叠瓦组件具有转换效率高、内阻小、热斑性能优异等特点。

然现有技术中，对于分片电池而言，其裂片所形成的边缘由于直接与环境接触，会导致边缘复合(即因裂片而受损)，进而大幅降低相应组件的功率。特别是对于与pn结相对应的边缘结区而言，其存在比其它位置处(如与硅片相对应的边缘基区)密度高得多的悬挂键，该悬挂键会促进载流子复合并且大幅降低分片电池的性能。

目前，为了抑制分片电池的边缘复合，有通过在分片电池的边缘生长一层SiO₂或Al₂O₃，也有通过湿化学的方法达到边缘钝化的效果。虽然这些方法对钝化边缘基区复合有一定效果，但是边缘结区的复合仍然偏大，故分片电池的效率和相应组件的功率未能得到明显的提升。

有鉴于此，有必要提供一种能够解决以上技术问题的技术方案。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一，为实现上述发明目的，本发明提供了一种降低太阳能电池裂片损伤的方法，其具体设计方式如下。

一种降低太阳能电池裂片损伤的方法，其包括以下步骤：

扩散制结步骤，在硅片正面形成扩散层及位于所述扩散层上的杂质玻璃层；

掩膜制作步骤，在所述杂质玻璃层上形成掩膜层，所述掩膜层于待裂片位置处具有第一镂空区；

刻槽步骤，经所述掩膜层在所述第一镂空区位置处形成贯穿所述杂质玻璃层与所述扩散层的凹槽；

去掩膜步骤，去除所述杂质玻璃层上的所述掩膜层；

去杂质玻璃步骤，去除所述扩散层上的所述杂质玻璃层；

正、背面钝化步骤，在所述硅片的正面一侧形成覆盖所述凹槽内壁的第一钝化层，在所述硅片的背面一侧形成第二钝化层；

电极形成步骤，在所述第一钝化层、第二钝化层表面分别形成正面电极、背面电极；

裂片步骤，在所述凹槽位置处对所述硅片进行裂片以形成分片电池。

进一步，所述掩膜制作步骤中，所述掩膜层还具有供所述硅片正面所述杂质玻璃层边缘暴露的第二镂空区。

进一步，所述第二镂空区的宽度为1-5mm。

进一步，所述第一镂空区的宽度为0.5-5mm。