[发明专利]一种MEMS工艺的穿透式多通道气体传感器在审
| 申请号： | 202011608294.8 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112730520A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李兴华;余隽;王媛媛;刘旭;霍智慧 | 申请（专利权）人： | 郑州水伟环境科技有限公司;大连理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728 | 代理人： | 刘英 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
一种MEMS工艺的穿透式多通道气体传感器，解决了现在由于气流只能从气体传感器阵列芯片的封装外壳的上表面经过，气体分子到达气体传感器的气敏材料表面主要通过气体扩散传质，导致气体传感器对低浓度气体的响应时间和恢复时间长的问题，其包括Si衬底、下表面腐蚀窗、通孔和气敏薄膜，所述Si衬底以及通孔的上表面均设置有第一层Si |
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| 搜索关键词： | 一种 mems 工艺 穿透 通道 气体 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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