[发明专利]一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在审
| 申请号： | 202011593833.5 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114695506A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 钱洪途;裴轶;张晖 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的半导体层；半导体层至少包括设置于衬底一侧的缓冲层；沿源极预设区指向漏极预设区的方向，缓冲层包括相互连接的第一缓冲分部和第二缓冲分部，第一缓冲分部在衬底上的垂直投影与源极预设区在衬底上的垂直投影交叠，第二缓冲分部在衬底上的垂直投影与栅极预设区以及漏极预设区在衬底上的垂直投影交叠；缓冲层中注入有离子，第二缓冲分部中的离子注入浓度大于第一缓冲分部中的离子注入浓度。应用该外延结构的半导体器件兼具高击穿电压、低漏电以及高静电防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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