[发明专利]一种降低P型晶硅电池串联电阻的方法在审
申请号: | 202011568253.0 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112670372A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 余浩;方灵新;单伟;何胜;徐伟智;黄海燕;陆川 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘新雷 |
地址: | 310051 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种降低P型晶硅电池串联电阻的方法,包括:S1,对经过电注入或光注入衰减钝化处理的PERC电池施加反向偏压;S2,在所述PERC电池施加所述反向偏压的同时对所述PERC电池进行热退火。通过在PERC电池在经过高温PECVD,烧结,电注入或光注入衰减钝化处理之后,在施加反偏电压的同时进行热退火,促使H‑P对的分解和氢的再分布,从而解决串联电阻增大的问题,提升电池效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 型晶硅 电池 串联 电阻 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的