[发明专利]量子点配体交换方法、量子点薄膜的制备方法和QLED器件在审
| 申请号： | 202011567168.2 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114672315A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 聂志文 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;C09K11/56;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C09D5/22;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 郝文婷 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及量子点技术领域，提供了一种量子点配体交换方法、量子点薄膜及其制备方法和QLED器件。一种量子点配体交换方法，包括如下步骤：提供含第一配体的第一量子点溶液；在非活性气氛下，将第一量子点溶液和反应物混合，进行回流处理，得到表面含有第二配体的量子点溶液，所述第一配体的配位能力比所述第二配体的配位能力弱；该方法适用于利用弱配体置换强配体的情况，同时能够有效避免量子点原有配体的浪费、实现原有配体的科学合理利用，具有简单、温和、有效、快捷，普适性强，资源回收利用的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 点配体 交换 方法 薄膜 制备 qled 器件 | ||
【主权项】：
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