[发明专利]量子点配体交换方法、量子点薄膜的制备方法和QLED器件

权利要求书

1.一种量子点配体交换方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供含有第一配体的第一量子点溶液；

在非活性气氛下，将所述第一量子点溶液和反应物混合，进行回流处理，得到表面含有第二配体的量子点溶液，

所述第一配体的配位能力比所述第二配体的配位能力弱。

2.根据权利要求1所述的量子点配体交换方法，其特征在于，所述第一配体为有机胺类配体，优选地，所述第一配体还包括碳碳双键官能团，

所述反应物为二硫化碳，

所述第二配体能够与所述量子点溶液中的量子点表面的阴离子和阳离子连接，优选地，所述第二配体中的双键能够聚合，形成聚合物，更优选地，所述第二配体为二硫代氨基盐配体。

3.根据权利要求1或2任一所述的量子点配体交换方法，其特征在于，进行回流处理的步骤中，所述回流处理的温度为60～120℃，所述回流处理的时间为30～90分钟，

进行回流处理的步骤之后，还包括进行分离纯化处理。

4.根据权利要求1～3任一所述的量子点配体交换方法，其特征在于，所述有机胺类配体选自甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺、十二烷基胺、十六烷基胺、油胺、十八烷基胺、二甲基胺、二乙基胺、二丙基胺、苯胺中的至少一种，

所述非活性气氛选自氩气气氛、氮气气氛、真空气氛中的至少一种。

5.根据权利要求1～3任一所述的量子点配体交换方法，其特征在于，所述第一量子点溶液中，第一配体的浓度为10～15mg/mL，且，所述反应物和所述第一量子点溶液的质量比为(0.1～1)：1。

6.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

依照权利要求1～5任一所述的量子点配体交换方法制备所述量子点溶液，

涂覆所述量子点溶液涂，并进行退火处理，得到量子点薄膜。

7.根据权利要求6所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，进行退火处理的步骤中，于50～150℃条件下进行退火处理1min～2h。

8.根据权利要求6所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述量子点溶液的配体含有碳碳双键，进行退火处理之后，还包括：与光引发剂混合并进行光照处理，得到量子点薄膜。

9.根据权利要求8所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述光引发剂选自三嗪化合物、苯乙酮化合物、二苯甲酮化合物、噻吨酮化合物、苯偶姻化合物、肟化合物中的至少一种；和/或，

所述光引发剂与所述量子点溶液的质量比为(0.001～0.1)：1。

10.一种QLED器件，包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层为由权利要求6～9任一所述的量子点薄膜的制备方法制备得到的量子点薄膜。