[发明专利]量子点配体交换方法、量子点薄膜的制备方法和QLED器件

说明书

本申请涉及量子点技术领域，提供了一种量子点配体交换方法、量子点薄膜及其制备方法和QLED器件。一种量子点配体交换方法，包括如下步骤：提供含第一配体的第一量子点溶液；在非活性气氛下，将第一量子点溶液和反应物混合，进行回流处理，得到表面含有第二配体的量子点溶液，所述第一配体的配位能力比所述第二配体的配位能力弱；该方法适用于利用弱配体置换强配体的情况，同时能够有效避免量子点原有配体的浪费、实现原有配体的科学合理利用，具有简单、温和、有效、快捷，普适性强，资源回收利用的优点。

技术领域

本申请属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点配体交换方法，以及一种量子点薄膜的制备方法，以及一种QLED器件。

背景技术

量子点(quantum dot，QD)是指形貌接近各向同性，粒径尺寸小于激子波尔半径的一种典型的纳米材料。该种材料不仅继承了体相半导体的特性，同时又表现出自身独特的光电性能，具体表现为：色纯度高、吸收带宽、荧光发射窄、量子点效率高、光热稳定性好等优异的光学性能，在显示、激光、光伏、生物标记等领域具有广泛的应用前景。量子点的优异而独特的性能不仅让整个化学世界变得更加丰富多彩，拓展了无机化学的研究对象。同时，其优异的可溶液加工性，制备的QLED非常有望取代现有的OLED技术成为下一代新型显示技术。

随着量子点合成技术的不断改进、发展，量子点合成技术以基本趋于完善。表面配体作为量子点的重要组成部分，在整个量子点的合成及应用中占据着不可忽视的重要作用。比如：1、量子点表面配体可以有效钝化量子点表面，从而减少量子点表面缺陷的作用；2、配体在量子点制备过程中能够改变阴阳离子的活性，从而可以控制量子点的成核与生长；3、配体可以有效防止相邻量子点的聚集、团聚，甚至沉淀，提供溶液稳定性；4、配体一定程度上能够影响量子点的带隙从而影响光电性能。

在现有QLED器件中，量子点发光层中的表面配体对其光电学性能具有显著影响，合理改变及选择较优的配体对提高QLED的器件性能具有重要意义。对现有技术而言，常规的配体交换方式通常是采用具有强配位能力的配体来置于弱配位能力较弱的配体，得到表面具有强配位能力配体的量子点。比如：采用硫醇配体可以快速置换量子点表面的羧酸配体，得到表面具有硫醇配体的量子点。然而，弱配体置换强配体由于配体配位强弱的问题，通常难以实现。且强配体置换弱配体过程中，最终被置换掉的弱配体通常会直接丢弃，非常容易造成资源浪费，影响应用。

发明内容

本申请的目的在于提供一种量子点配体交换方法以及一种量子点薄膜的制备方法，以及一种QLED器件，旨在解决现有技术中配体交换只适用于强配体置换弱配体，且原有配体易造成浪费的问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种量子点配体交换方法，包括如下步骤：

提供含有第一配体的第一量子点溶液；

在非活性气氛下，将所述第一量子点溶液和反应物混合，进行回流处理，得到表面含有第二配体的量子点溶液，

所述第一配体的配位能力比所述第二配体的配位能力弱。

第二方面，本申请提供一种量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：

依照所述的量子点配体交换方法制备所述量子点溶液，

将所述量子点溶液涂覆于基板表面，并进行退火处理，得到量子点薄膜。

第三方面，本申请提供一种QLED器件，包括量子点发光层，所述量子点发光层为所述的量子点薄膜或由所述的量子点薄膜的制备方法制备得到的量子点薄膜。