[发明专利]一种基于纳米电流通道的相变存储器有效
| 申请号： | 202011565602.3 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112701221B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;李瀚;曾运韬;朱云来;刘香君;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 廖盈春;曹葆青 |
| 地址： | 430074 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米电流通道的相变存储器，使用的纳米电流通道层结构用以限制电流的路径，使得电流在流经该层时从高电导率纳米晶粒进入相变层，电流被限制在纳米电流通道中，该纳米级导电通道大大减小了相变层与电极层之间的接触面积，并极大地提高了局部接触部位的电流密度，提高了电流在相变层中的产热效率。同时，低电导率低热导率的绝缘绝热材料阻止了相变层中的热量向电极层散失，提高了相变层的电热利用效率。与采用更先进制程制作的尽可能小的相变单元相比，本发明能够突破工艺限制，进一步缩小电极与相变材料的有效接触面积，工艺简单，使得相变存储器能够轻松实现操作功耗降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 电流 通道 相变 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011565602.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
