[发明专利]形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法在审
| 申请号： | 202011563035.8 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113053813A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 高荣范;白宗植 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明技术涉及形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法。举例来说，所述方法可包括沿着切道从晶片的后侧到所述晶片的所述后侧与所述晶片的前侧之间的中间深度形成第一通道。所述第一通道具有第一倾斜侧壁和第二倾斜侧壁。接着通过沿着所述第一通道的第一侧壁与第二侧壁之间的区从所述晶片中的所述中间深度朝向所述晶片的所述前侧进行激光切割来形成第二通道。所述第一倾斜侧壁限定在第一半导体裸片的一侧处的带槽区，且所述第二倾斜侧壁限定在第二半导体裸片的一侧处的带槽区。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 用于 堆叠 封装 周边 轮廓 半导体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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