[发明专利]基于3D熔融沉积技术的位移、水压力传感器及制备方法有效

专利信息
申请号: 202011560652.2 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN112729401B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 徐东升;张振兴;秦月 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: G01D21/02 分类号: G01D21/02;G01B11/02;G01B11/16;G01L11/02;B29C64/118;B33Y10/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 胡辉
地址: 430063 *** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了基于3D熔融沉积技术的位移、水压力传感器及制备方法,基于3D熔融沉积技术的位移、水压力传感器主要由主体、L形空心杆、金属片和底盖组成。主体包括膜片、侧壁和中间隔板,膜片设置在侧壁的一侧端口,侧壁环绕形成的空间内设置有中间隔板,膜片、侧壁和中间隔板围成第一空腔。L形空心杆的一端固定在膜片的内侧,另一端固定侧壁上,L形空心杆内设置有第一光纤光栅传感器。侧壁内侧设置有环形平台,金属片固定在环形平台的底面,金属片上设置有第二光纤光栅传感器,底盖设置在侧壁的另一侧端口。基于3D熔融沉积技术的位移、水压力传感器设置为一体化结构,能够实现结构的变形位移和流体压力的同时测量,制备方法缩短了加工周期。
搜索关键词: 基于 熔融 沉积 技术 位移 水压 传感器 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011560652.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top