[发明专利]激光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202011550306.6 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112688168B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李水清;钟志白;邓和清;赖昭序;臧雅姝;黄少华 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/02;H01S5/024;H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 王立红 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种激光二极管及其制备方法。该激光二极管包括金属基板、由半导体外延层构成的脊波导结构和光场包覆层，脊波导结构形成在金属基板上表面且沿金属基板长度方向延伸预定长度，其宽度小于金属基板的宽度；光场包覆层形成在金属基板上表面，且自脊波导结构的侧面向远离脊波导结构的一侧延伸；光场包覆层环绕于脊波导结构的外围，用于对脊波导结构进行光场限制；脊波导结构与金属基板之间形成有第一电极，脊波导结构的顶面形成有第二电极。本申请将激光二极管制作成垂直结构，缩短激光二极管电路，降低激光二极管电压，以改善其散热效果。在脊波导结构(半导体外延层)的整个侧面均能够形成光场包覆层，提高对脊波导结构光场限制效果。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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