[发明专利]GaN器件互联结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011537165.4 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114664725A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 肖霞;王黎明 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/335;H01L23/538;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明GaN器件互联结构及其制备方法，制备方法包括：提供包括源极区、漏极区和栅极区的半导体基底，半导体基底表面定义有相互垂直的第一方向和第二方向；制备栅极组合结构，包括栅指及栅极互联预留部，相邻两条栅指的连接方向为第一方向；制备第一介质层和第一层互联金属；制备第二介质层和第二层互联金属。本发明基于栅极互联预留部实现将栅极的电性引出，通过第一源极金属互联线、第一漏极金属互联线、栅极金属互联线、第二源极金属互联线及第二漏极金属互联线提供一种新型互联布线方案，有利于栅极电阻的有效控制，利于电流分布均匀，芯片有效面积利用率得到有效提升，适用于氮化镓低压高功率密度的量产产品设计。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 联结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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