[发明专利]一种高性能DFB激光外延片制备方法在审
| 申请号： | 202011509480.6 | 申请日： | 2020-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN112636168A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李洪雨;张永;单智发;姜伟;陈阳华 | 申请（专利权）人： | 全磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;C09K13/04 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能DFB激光外延片制备方法，其包括如下步骤：首先在InP衬底上由下至上依次沉积生长缓冲层、限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、缓冲层、腐蚀阻挡层、InP包层、光栅层和InP帽层，然后匀胶曝光显影后，分两次用蚀刻液对外延片进行腐蚀，第一次腐蚀会刻蚀过光栅层并保留一定厚度的光栅层，然后去除光刻胶，第二次采用选择性蚀刻液蚀刻掉剩余的光栅层，最后在外延片上进行二次生长，由下至上依次生长的InP层、势垒渐变层和欧姆接触层。采用两种蚀刻溶液进行光栅蚀刻，通过第一次蚀刻到光栅层的位置，去除表面光刻胶掩膜，第二次蚀刻使用具有选择性腐蚀的溶液腐蚀掉剩余的光栅层，提高了光栅蚀刻的均匀性以及光栅占空的均匀性，提升了DFB激光器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 dfb 激光 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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