[发明专利]一种碳化硅晶片单向四层双向八级台阶切割工艺有效
| 申请号： | 202011509224.7 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112775563B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;蒋树庆;胡彦飞 | 申请（专利权）人： | 西安晟光硅研半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/142;B23K26/146 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 710005 陕西省西安市国家民用航天产业基*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶片单向四次双向八级台阶切割工艺，通过上面在碳化硅晶锭厚度方向的对称位置第1次切割至最深位置；随后在左边和右边同样地进行3次切割到与第1次相同深度，从而建立起一个相对平缓的多次水射流宽度的面，这个面作为避免水柱干扰的第二深度切割的起始面；在中心对称线的左侧采用相同的喷口进行第2层首次切割到其最深深度；随后在厚度对称轴线的右侧进行2次切割，并达到与第2层首次切割的相同深度；进行第3层首次切割，以达到碳化硅晶锭半径以上深度。本发明通过台阶法切割实现单晶碳化硅晶锭的高深度切割，实现了高效率、高质量、低成本、低损伤、高出品率制备SiC单晶衬底，具有推广应用的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 单向 双向 台阶 切割 工艺 | ||
【主权项】：
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