[发明专利]一种碳化硅晶片单向三层双向六级台阶切割工艺有效
| 申请号： | 202011509207.3 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112620973B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;蒋树庆;胡彦飞 | 申请（专利权）人： | 西安晟光硅研半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 710005 陕西省西安市国家民用航天产业基*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阶梯式激光切割碳化硅晶片的方法，通过上面在碳化硅晶锭厚度方向的对称位置第1次切割至最深位置；随后在左边和右边同样地进行3次切割到与第1次相同深度，从而建立起一个相对平缓的多次水射流宽度的面，这个面作为避免水柱干扰的第二深度切割的起始面；在中心对称线的左侧采用相同的喷口进行第2层首次切割到其最深深度；随后在厚度对称轴线的右侧进行2次切割，并达到与第2层首次切割的相同深度；进行第3层首次切割，以达到碳化硅晶锭半径以上深度。本发明通过台阶法切割实现单晶碳化硅晶锭的高深度切割，实现了高效率、高质量、低成本、低损伤、高出品率制备SiC单晶衬底，具有推广应用的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 单向 三层 双向 台阶 切割 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安晟光硅研半导体科技有限公司，未经西安晟光硅研半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011509207.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
