[发明专利]双层ITO膜的LED芯片结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种双层ITO膜的LED芯片结构及其制作方法，其中，双层ITO膜的LED芯片结构包括：在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，通过ICP刻蚀技术将暴漏区域的N‑GaN层刻蚀出来，形成N‑GaN台阶，在芯片结构上镀SiO2电流扩散层，第一层ITO膜包覆在SiO2电流扩散层的整面上，在第一层ITO膜表面上镀第二层ITO膜，第二层ITO膜是在高温快速退火同时通入氧气而形成。本发明在LED芯片外延结构上用两次sputter溅射技术镀膜，采用两种不同的工艺制成双层ITO导电层结构，第一层ITO膜实现降低阻抗、欧姆接触佳等良好导电性的效果，第二层ITO膜在退火工艺中通入氧气实现高光透过性等效果。