[发明专利]一种短波范围反射式体光栅的光栅结构写入方法在审
| 申请号： | 202011502556.2 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112596139A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 晋云霞;孙静;孔钒宇;何冬兵;邵建达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种短波范围反射式体光栅的光栅结构写入方法。该方法包括棱镜耦合曝光法与对射曝光法。使用这种光栅结构写入方法制备的反射式体光栅的中心波长可达到325nm～650nm。该发明提出的方法为短波长反射式体光栅的发展提供了新思路，与现有的制备技术相比，拓宽了短波长的技术领域，使其在半导体激光器锁波、激光合束等领域具有极大地实际应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 短波 范围 反射 光栅 结构 写入 方法 | ||
【主权项】：
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