[发明专利]一种电极修饰层、忆阻器及其制备和控制方法有效
| 申请号： | 202011495419.0 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112614937B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 王兴晟;宋玉洁;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电极修饰层、忆阻器及其制备和控制方法，包括置下而上的衬底、第一电极、电极修饰层、金属氧化物功能层和第二电极；电极修饰层包括有机物电极层和生长在有机物电极层的上表面的金属纳米颗粒层；金属纳米颗粒层由金属纳米颗粒构成；有机物电极层的材料为包括大量氨基和酚羟基基团的儿茶酚氨基团型有机物；金属纳米颗粒与金属氧化物功能层可以形成电接触，大大增强了金属氧化物功能层中与金属纳米颗粒相对应的位置处的局域电场，减小了金属氧化物功能层中导电细丝的形成和断裂的随机性，实现了对氧空位导电细丝通断的调制效果，使得忆阻器在电激励作用下，阻态的稳定跳变，提高了忆阻器的稳定性和关键电学参数的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 修饰 忆阻器 及其 制备 控制 方法 | ||
【主权项】：
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