[发明专利]一种防护型半导体器件有效
| 申请号： | 202011491131.6 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112614836B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 吕信江;朱旭强;杜文芳;王敏志;骆宁 | 申请（专利权）人： | 南京芯舟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 曹婷 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防护型半导体器件，涉及半导体器件，解决了在高电压或大功率下防护型半导体器件的响应速度不够快、鲁棒性和可靠性不强的技术问题，其技术方案要点是包括N型衬底区，在N型衬底区的底部设置有P型阳极区，N型衬底区的顶部设有P型基区，第P型基区内设有沿水平方向变化掺杂的N‑VLD区。N‑VLD区与P型阳极区之间能形成多次的电子‑空穴‑电子‑空穴循环往复，从而在阳极与阴极之间形成强大的电流，且N‑VLD区的动态均流作用让各个元胞的工作状态保持高度一致。因此，当外电路有浪涌电流出现时，通过主动控制触发极即可在阳极和阴极之间形成极大电流的通道，提升器件过浪涌电流的能力，实现对电路系统的主动防护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防护 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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