[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层沉积装置有效
申请号: | 202011484852.4 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN112599640B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 罗明新;刘晓燚;任宇航 | 申请(专利权)人: | 尚越光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 杭州知见专利代理有限公司 33295 | 代理人: | 黄娟 |
地址: | 311121 浙江省杭州市余杭区五*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池的处理设备。一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层沉积装置,包括传送辊,在传送辊的两侧设有侧托,侧托和传送辊构成衬底的支撑平台,所述的衬底上方设有喷嘴组件,所述的喷嘴组件包括喷嘴本体,喷嘴本体的上板上设有溶液进口,在喷嘴本体的下板上设有溶液出孔,喷嘴本体的下板两侧的溶液出孔最多。本发明提供了一种喷洒效果好,衬底表面液体均匀性好,充分提高了化学喷射沉积薄膜的均匀性的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层沉积装置结构;解决了现有技术中存在的喷洒不均匀,衬底沉积效果不理想的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 缓冲 沉积 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的