[发明专利]一种高硅含量的铝基梯度电子封装复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 202011482872.8 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114635051A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 冯立超;谢宁;杨治华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨尚圭科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C21/02;B22F3/02;B22F3/14 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 邓宇 |
| 地址： | 150028 黑*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高硅含量的铝基梯度电子封装复合材料的制备方法，属于铝基粉末材料热成形工艺。本发明解决了现有Al‑Si电子封装材料制备方法，无法实现封装料梯度结构设计及近净成形的不足。本发明通过粉末冶金结合多次装料冷压、分步热压等工艺制备的梯度结构电子封装材料，具有成分梯度可以调控、成本低廉且具备精密成形的优点，可以在保障良好性能的同时大幅度降低后续的机加工变形量。本发明适用于Si质量含量从20％～75％的梯度铝基电子封装材料的制备，以及高性能电子封装料坯材以及半成品的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含量 梯度 电子 封装 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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