[发明专利]一种磷化铟芯片抛光液及其制备方法在审
| 申请号： | 202011480372.0 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112480826A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 苑亚斐 | 申请（专利权）人： | 北京国瑞升科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 田磊 |
| 地址： | 100085 北京市海淀区上*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磷化铟芯片抛光液及其制备方法，该磷化铟芯片抛光液，按重量份数计，由以下组分组成：氧化铝微粉2‑40份，氧化剂1‑5份，分散剂0.1‑0.5份，水60‑98份。本发明的磷化铟芯片抛光液及其制备方法摒弃了传统的二氧化硅基CMP抛光液，采用氧化铝作为磨料，由于氧化铝本身的莫氏硬度要大于二氧化硅，所以采用化学作用较强的氧化剂与之匹配，在清洗方面氧化铝不同于硅溶胶，不会在芯片表面有一层吸附层，所以在最后芯片的清洗方面有着明显的优势；本发明的磷化铟芯片抛光液在提高抛光速率的同时能降低或达到相同的表面粗糙，保证批次间的稳定性，保持稳定的去除速率，且芯片表面残留的抛光液易于清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 芯片 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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