[发明专利]一种石墨烯增强薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于传感器技术领域。一种石墨烯增强薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备石墨烯薄膜；石墨烯薄膜图形化；在图形化后的石墨烯薄膜表面制备底电极；在底电极和石墨烯薄膜表面生长有机半导体材料，形成功能层；在功能层表面采用电子束蒸镀制备顶电极；在顶电极和功能层表面旋涂PMMA薄膜，形成保护层。本发明制备方法具有良好的可控性，通过在衬底上预设石墨烯薄膜，可诱导有机半导体材料的有序取向，提高了有机半导体材料的成膜质量，从而有效提高了器件的整体性能。制备而成的薄膜晶体管具有双层电极结构，电子注入效率高，可提高晶体管的饱和输出电流和整体性能。