[发明专利]封装结构的减薄方法有效
| 申请号： | 202011473047.1 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112582285B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘鲁亭;蒋忠华 | 申请（专利权）人： | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 梁馨怡 |
| 地址： | 266104 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种封装结构的减薄方法，包括步骤：提供一基板，所述基板包括封装有电子单元的封装结构，所述封装结构的厚度大于预设厚度；对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度。本发明制作封装结构可利用现有的常规型号封装模具进行制作，再利用激光技术进行镭射减薄即可，无需重新制作适配的封装模具，省略了制作封装模具的过程，大大缩短了生产周期，且节省了生产成本，并加快了快速打样的进程，生产效率高。利用激光技术对封装结构的封装表面进行镭射减薄后，封装表面的粗糙度小于20um，封装表面精度高。并且，本发明采用相关镭射设备就可实现镭射减薄过程，可实现自动化以及批量化生产，大大提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛歌尔微电子研究院有限公司，未经青岛歌尔微电子研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011473047.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
