[发明专利]Nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端在审

专利信息
申请号: 202011466653.0 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN112331252A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 黄凯怡;唐维强;周幸福 申请(专利权)人: 深圳市芯天下技术有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G11C29/18;G11C29/56
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;唐敏珊
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区横*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种Nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端,整个过程在单片机中实现,使Nand flash中所有块在全部要求的数据模式进行坏块查找,若某一块在某种数据模式下出现数据读出错误,则标记该块为坏块,最终完成Nand flash中所有坏块标记;本技术方案在单片机中完成一个坏块标记耗时远比机台短,特别在校验数据时,单片机程序中可任意配置ECC纠错位数,而机台要实现同样条件判断的耗时是非常长的,单片机程序五分钟内即可完成一个坏块标记;而且单片机成本比机台价格便宜很多,用较低价格购入多片单片机就可实现大量nand flash并行测试,在短时间内完成大量nand flash的坏块标记。
搜索关键词: nand 闪存 自动 标记 方法 装置 存储 介质 终端
【主权项】:
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