[发明专利]一种四象限光照传感器及其制备方法有效
申请号: | 202011464021.0 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN112582493B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 刘生忠;曹越先;王辉;王立坤;王开;杜敏永;姜箫;焦玉骁;段连杰;孙友名 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L27/142;H01L27/144;H01L31/18;G01J1/42;G01J1/44;B23K26/364 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 姜玉蓉;李洪福 |
地址: | 116000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提供一种四象限光照传感器及其制备方法,本发明四象限光照传感器包括衬底、设置在衬底一面的光阑、设置在衬底另一面的顶电极、太阳电池层、底电极、绝缘层、电极引线、封装材料层;光阑制备时,在衬底一侧覆盖黏贴材料,使用激光划刻在其上制备定位线,去除定位线外部的黏贴材料,在剩余黏贴材料的位置和衬底上,全面制备光阑涂层,去除定位线内部黏贴材料;在底电极上固定一层绝缘层,将电极引线和底电极、顶电极分别相连,作为外接顶、底电极。本发明使太阳电池四象限各部分尺寸更加精确,有效避免光阑对太阳电池的污染和激光对太阳电池的损伤,提升四象限光照传感器的环境耐受性,其电极制备方式有效延长了四象限光照传感器的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 象限 光照 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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