[发明专利]具有虚拟填充的精密电阻器结构在审
| 申请号： | 202011449250.5 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114613562A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 郭朝亮;张泽飞 | 申请（专利权）人： | 上海类比半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C1/084 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 吴珊;成春荣 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及集成电路领域，公开了一种具有虚拟填充的精密电阻器结构，包括：半导体衬底，设置在半导体衬底中的第一虚拟填充层；设置在半导体衬底表面上的第一介电层，第一介电层中设置有第二虚拟填充层；设置在第一介电层表面上的第二介电层，第二层介电层中设置有电阻体，电阻体两端设置有互连结构；设置在第二介电层表面上的第三介电层，第三介电层中设置有金属互连层，金属互连层分别与两端的互连结构连接。第一虚拟填充层沿垂直于电阻体延伸的方向呈间隔排布，第二虚拟填充层沿垂直于电阻体延伸的方向呈间隔排布，并且，第一虚拟填充层和第二虚拟填充层相互平行且交替设置。本申请可以提高电阻器的散热和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 虚拟 填充 精密 电阻器 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海类比半导体技术有限公司，未经上海类比半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011449250.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
