[发明专利]一种离子激活的检测方法有效
| 申请号： | 202011448252.2 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112582293B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/477;H01L21/425 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子激活的检测方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一导电类型的外延层，以制备形成待测晶片；将待测晶片划片分为第一晶片和第二晶片，其中，第一晶片包括第一衬底和第一外延层，第二晶片包括第二衬底和第二外延层；将第一外延层减薄至预设第一厚度，将第二外延层减薄至预设第二厚度；在第一外延层之上光刻图形化并显露出第一外延层的部分上表面；在第一外延层显露出的上表面和第二外延层的上表面同时注入离子；将第一晶片和第二晶片依次进行一次加热处理及二次加热处理；采用霍尔测试方法检测第二晶片内载流子的导电类型。本发明的检测方法可以加快获得As离子已激活状态的离子注入和热处理的最佳工艺参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 激活 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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