[发明专利]一种离子激活的检测方法

权利要求书

1.一种离子激活的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上形成第一导电类型的外延层，以制备形成待测晶片，所述第一导电类型的外延层材料包括掺铟的碲镉汞；

将所述待测晶片划片分为第一晶片和第二晶片，其中，所述第一晶片包括第一衬底和第一外延层，所述第二晶片包括第二衬底和第二外延层；

将所述第一外延层减薄至预设第一厚度，将所述第二外延层减薄至预设第二厚度，使得所述第二晶片中的所述第二外延层内的第一导电类型载流子作用弱于所述第二外延层表面的第二导电类型载流子的作用，所述预设第二厚度为2μm～3μm；

在所述第一外延层之上光刻图形化并显露出所述第一外延层的部分上表面；

在所述第一外延层显露出的上表面和所述第二外延层的上表面同时注入As离子；

将所述第一晶片和所述第二晶片依次进行一次加热处理及二次加热处理，其中，所述一次加热处理的温度大于所述二次加热处理的温度；

采用霍尔测试方法检测所述第二晶片内载流子的导电类型；

若所述第二晶片内载流子的导电类型为所述第二导电类型，则判定所述第一晶片中离子已激活；

若所述第二晶片内载流子的导电类型为所述第一导电类型，则判定所述第一晶片中离子未激活。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述将所述第一外延层减薄至预设第一厚度，将所述第二外延层减薄至预设第二厚度的步骤包括：

将所述第一晶片和所述第二晶片放置在化学抛光机上，采用抛光液对所述第一晶片和所述第二晶片进行减薄，以使得所述第一外延层减薄至所述预设第一厚度，所述第二外延层减薄至所述预设第二厚度。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，

所述预设第一厚度设置为6μm～8μm。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述在所述第一外延层显露出的上表面和所述第二外延层的上表面同时注入离子的步骤包括：

采用离子注入法在所述第一外延层显露出的上表面和所述第二外延层的上表面同时注入预设注入能量和预设注入剂量的砷离子。

5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，

所述预设注入能量为300KeV～500KeV，所述预设注入剂量为5E14/cm²～2E15/cm²。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述将所述第一晶片和所述第二晶片依次进行一次加热处理及二次加热处理的步骤包括：

将所述第一晶片和所述第二晶片装入石英管中；

将所述石英管密封后放入退火炉中，对装有所述第一晶片和所述第二晶片的所述石英管依次进行一次加热处理及二次加热处理，其中，所述一次加热处理的温度大于所述二次加热处理的温度。

7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，

所述一次加热处理的加热温度为320℃～380℃，加热时间为6h～10h；

所述二次加热处理的加热温度为200℃～250℃，加热时间为48h～72h。

8.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，

所述衬底材料包括碲锌镉。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的检测方法，其特征在于，

所述第二晶片的所述第二外延层的上表面积小于等于所述第一晶片的所述第一外延层的上表面积。