[发明专利]形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法

摘要

本发明涉及一种形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法。形成源/漏接触的方法：刻蚀出源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触孔底部为所述源极裸露的表面，所述漏极接触孔底部为所述漏极裸露的表面；在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内选择性外延生长高掺杂的SixGe1‑x层，所述高掺杂的类型与源极、漏极的掺杂类型相同，0≤x≤1；在所述源极和所述漏极裸露的表面形成激光吸收层，其余结构表面形成激光反射层；对所述激光吸收层进行激光退火，发生熔融；去除所述激光吸收层和所述激光反射层；之后在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内分别沉积金属，形成源极接触和漏极接触。本发明能有效降低源漏接触电阻。