[发明专利]一种提高芯片Al电极打线成功率的工艺方法在审
| 申请号： | 202011432721.1 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112563128A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈旭;吴庆才 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 唐静芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高芯片Al电极打线成功率的工艺方法，其包括：启动磁控溅射设备沉积TiN，用以沉积Ti和TiN的第二腔体内留存用以形成TiN的氮气且Ti靶材表面会残留一层TiN薄膜；芯片上依次沉积Al层、Ti层和TiN层，而后退火、沉积钝化层、刻蚀后得到具有麻点Al电极的芯片，在Al层和Ti层之间形成一层TiN，避免退火时，Al和Ti接触而形成合金而阻碍Al的应力释放及再结晶，使得得到的Al电极具有麻点，因麻点为凹凸不平结构，使得打线不易脱落，有利于后续打线的成功率，此外，制备Al层和Ti层之间的TiN层时，没有增加额外工艺步骤和物料，只是利用上次在制备TiN时在第二腔体内留存的氮气和TiN，制备工艺简单，可批量化生产产品，产品良率高且节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 芯片 al 电极 成功率 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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