[发明专利]显示装置

摘要

本发明的实施方式涉及一种显示装置，其中在氧化物半导体薄膜晶体管设置在低温多晶硅薄膜晶体管的上表面上的结构中，氢吸附层设置在低温多晶硅薄膜晶体管之中的驱动晶体管上的电容器电极上，从而可以防止由于驱动晶体管在氧化物半导体薄膜晶体管的热处理工艺期间的再次氢化而导致S因子减小。所述显示装置包括：设置在基板上的多个第一薄膜晶体管；设置在所述第一薄膜晶体管上的至少一个绝缘层；设置在所述绝缘层上的多个第二薄膜晶体管；以及包括氢吸附层的电容器电极，所述氢吸附层设置在所述多个第一薄膜晶体管之中的至少一些第一薄膜晶体管与所述绝缘层之间，并且所述氢吸附层设置在所述电容器电极的上表面和下表面的至少之一上。