[发明专利]一种锂电池硅基薄膜负极片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011400544.9 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112542573B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 魏立帅;曹新龙;王夏阳;霍林智;杨时峰;薛孟尧 | 申请（专利权）人： | 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/131;H01M4/62;H01M4/1395;H01M4/1391;H01M4/04;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 张海平 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锂电池硅基薄膜负极片及其制备方法，采用卷对卷磁控溅射技术直接制备硅基薄膜负极片，在溅射硅或氧化亚硅薄膜处于岛状成膜阶段，引入脉冲式快速光热退火，使其快速凝聚成纳米微球，进而引入类石墨碳缓冲层填补纳米球间隙并覆盖的方式，可以有效抑制纳米硅基材料的膨胀，同时增强了极片的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锂电池 薄膜 负极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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