[发明专利]MRAM读取电路及其读取方法、存储器在审
| 申请号： | 202011393855.7 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114596891A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 罗睿明;王韬;汪腾野 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 300385*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本申请提供一种MRAM读取电路及其读取方法、存储器，所述MRAM读取电路，包括：第一数据通路，用于存储第一数据；第一参考通路，与所述第一数据通路连接且连接点为第一读取点，所述第一参考通路和所述第一数据通路的开启状态一致；第二数据通路，用于存储第二数据，所述第二数据通路与所述第一数据通路在读操作时的开启状态相反；第二参考通路，与所述第二数据通路连接且连接点为第二读取点，所述第二参考通路和所述第二数据通路的开启状态一致；比较模块，与所述第一读取点和所述第二读取点连接，用于读取所述第一数据通路或所述第二数据通路的数据。本申请技术方案的MRAM读取电路及其读取方法可以提高MRAM的读取性能。 | ||
| 搜索关键词： | mram 读取 电路 及其 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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