[发明专利]一种石英晶体电极薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 202011392217.3 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN112626577B 公开(公告)日: 2023-05-19
发明(设计)人: 朱玉琴;罗来正;何建新;王成章;李佳蒙;张凯;封先河;黄朝志;吴帅;舒畅 申请(专利权)人: 中国兵器工业第五九研究所
主分类号: C25D5/14 分类号: C25D5/14;C25D5/12;C25D5/18;C25D3/12;C25D3/32;C25D3/38;C25D5/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 付丽
地址: 400039 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供了一种石英晶体电极薄膜的制备方法,包括以下步骤:A)对晶振的真空镀膜进行净化和活化;B)采用镍的预镀电镀液对所述步骤A)中净化和活化后的真空镀膜进行预镀,得到预镀镍层;C)使用金属镀液在所述预镀镍层表面进行正反向电流电镀,得到晶振电镀厚度层;所述正向电镀与反向电镀的时间之比为(5~10):1,所述正向电镀与反向电镀的电流密度之比为(3~10):1,所述正向电镀的电流密度为1~5A/dm2。采用本发明方法可以充分净化和活化真空镀膜的表面,同时又不腐蚀基材,可以在晶振表面获得结合力良好,表面均匀的镀层,满足后续的测试要求。
搜索关键词: 一种 石英 晶体 电极 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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