[发明专利]SiC MOSFET功率循环试验方法在审
| 申请号： | 202011382276.2 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112731091A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈媛;贺致远;陈义强;侯波;刘昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC MOSFET试验技术领域，公开了一种SiC MOSFET功率循环试验方法和试验电路，包括确定SiC MOSFET的沟道关断电压值和沟道导通电压值；在功率循环试验中，根据沟道导通电压值和沟道关断电压值分别将SiC MOSFET的栅源电压设置为第一电压和第二电压，以使SiC MOSFET在导通时间内升温或在关断时间内降温。监测导通瞬间和关断瞬间SiC MOSFET的结温变化，并根据结温变化判断SiC MOSFET的退化状况。通过预先获取SiC MOSFET的沟道关断电压值，保证在功率循环试验中SiC MOSFET的沟道完全关断，防止因SiC MOSFET的沟道未完全关断而导致结温监测不准确的问题。同时，保证在一个试验循环周期内SiC MOSFET器件经历同样的正偏压应力和负偏压应力，以减少阈值电压漂移导致的结温监测不准确问题。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 功率 循环 试验 方法 | ||
【主权项】：
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