[发明专利]一种MEMS探针激光刻蚀装置有效
| 申请号： | 202011382164.7 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112388155B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 于海超;周明 | 申请（专利权）人： | 强一半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/046 | 分类号： | B23K26/046;B23K26/362;B81B7/02;B81C1/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种MEMS探针激光刻蚀装置属于半导体加工测试技术领域；所述装置按照光线传播方向，依次设置弧形光源，螺旋通槽板，直线通槽板，物镜，单晶硅圆片和四维台；弧形光源的每一点到物镜中心距离相同，切线均与该点到物镜中心的连线垂直；螺旋通槽板包括开有螺旋通槽的第一底板和截面为圆环形的第一侧边，直线通槽板包括开有直线通槽的第二底板和截面为圆环形的第二侧边，第二底板上表面与第一底板下表面紧贴；单晶硅圆片上表面与第二底板分别位于物镜的像面和物面，单晶硅圆片进行三维平动和一维转动；本发明MEMS探针激光刻蚀装置，配合本发明的MEMS探针激光刻蚀方法，不仅刻蚀精度更高，而且刻蚀间距能够连续调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 探针 激光 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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