[发明专利]一种MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法有效
| 申请号： | 202011382152.4 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112496556B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 于海超;周明 | 申请（专利权）人： | 强一半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;B23K26/082;B23K26/064;B23K26/046;B23K26/08;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法属于半导体加工测试技术领域；所述MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法由单晶硅圆片的刻蚀间距，得到电机的步进角度，四维台向上或向下移动距离，向左或向右移动距离，顺时针或逆时针转动角度；所述四维台移动方向和转动方向由电机的转动方向决定；本发明MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法，用在本发明所公开的MEMS探针激光刻蚀装置与方法中，不仅刻蚀精度更高，而且刻蚀间距能够连续调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 探针 激光 刻蚀 电机 四维台 驱动 方法 | ||
【主权项】：
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