[发明专利]一种表面功能复合结构化单晶碳化硅的制备方法有效
| 申请号： | 202011380135.7 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112548359B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 戴厚富;岳海霞;蒙小松 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | B23K26/364 | 分类号： | B23K26/364;B23K26/00;B23K26/60 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 张成 |
| 地址： | 550025 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面功能复合结构化单晶碳化硅的制备方法，所述方法包含有如下步骤：一、待加工单晶碳化硅晶片的处理；二、将处理完成的单晶碳化硅晶片进行初步结构化；三、将已完成初步结构化的单晶碳化硅晶片进行第二次结构化，在晶片表面形成刀刃形沟槽，完成第二次结构化，形成最终的复合结构化表面，该表面包括有三角形肋条沟槽和刀刃形沟槽。利用飞秒激光对单晶碳化硅表面进行材料去除型烧蚀加工，初步结构化成三角形肋条沟槽，然后在初步结构化的基础上进行第二次结构化，使表面加工出刀刃形沟槽，最终形成复合结构化的表面，得到良好的表面以及边缘形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 功能 复合 结构 化单晶 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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