[发明专利]一种表面功能复合结构化单晶碳化硅的制备方法

权利要求书

1.一种表面功能复合结构化单晶碳化硅的制备方法，其特征在于：所述方法包含有如下步骤：一、待加工单晶碳化硅晶片的处理；二、将处理完成的单晶碳化硅晶片进行初步结构化形成多个三角形肋条沟槽，相邻两个三角形肋条沟槽之间形成刀尖；三、将已完成初步结构化的单晶碳化硅晶片进行第二次结构化，在晶片表面形成刀刃形沟槽，完成第二次结构化，形成最终的复合结构化表面，该表面包括有三角形肋条沟槽和刀刃形沟槽，刀刃形沟槽与三角形肋条沟槽交叉；所述步骤二中，在绘图软件中设计激光烧蚀路径，调整三维数控工作台和工件的相对位置，选择好加工区域，再设计加工路径以加工出三角形肋条沟槽；步骤二中采用飞秒激光微加工系统进行微加工；步骤三中第二次结构化采用飞秒激光微加工系统进行微加工。

2.根据权利要求1所述的表面功能复合结构化单晶碳化硅的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，首先把单晶碳化硅晶片进行研磨抛光处理，将需要结构化的单晶碳化硅晶片固定在加工平台上。

3.根据权利要求1所述的表面功能复合结构化单晶碳化硅的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，加工平台为三维数控工作台，重复定位精度为70nm。

4.根据权利要求3所述的表面功能复合结构化单晶碳化硅的制备方法，其特征在于：所述三维数控工作台的加工参数设置为：扫描速度为50~200μm/s，采用放大倍数分别是10×和20×的两种显微物镜进行激光束聚焦，选取激光脉冲能量为20~50μJ， 重复扫描次数为2~5次。