[发明专利]晶体管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011375926.0 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112466932A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 陈伟华 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 250000 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种晶体管外延结构及其制备方法，涉及微电子技术领域，该晶体管外延结构包括：衬底基层；生长在所述衬底基层上的第一金属层和缓冲层，其中所述缓冲层间隔设置于所述第一金属层的相对两侧；以及生长在所述缓冲层上的第二金属层；其中，所述缓冲层用于阻碍所述第二金属层向所述衬底基层扩散。通过设置缓冲层，能够阻绝第二金属层和衬底基层，阻碍第二金属层中的正价元素向衬底基层扩散，从而防止第二金属层向衬底基层扩散。相较于现有技术，本发明提供的晶体管外延结构，能够减缓外延材料中的三价硼元素或者五价磷元素等正价元素会在后续制程时向硅基层扩散，有效减缓漏电现象，提升元件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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