[发明专利]形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202011372171.9 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN113380704A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 赖启胜;孙维中;陈立庭;高魁佑;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用以形成不同间距的栅极结构的工艺。一种示例方法包括：提供工件，该工件具有衬底和通过隔离部件彼此间隔开的半导体鳍；在工件上方沉积栅极材料层；在栅极材料层上方形成图案化的硬掩模，该图案化的硬掩模包括不同间距的细长部件；实施第一蚀刻工艺，使用图案化的硬掩模作为蚀刻掩模，穿过栅极材料层以形成沟槽；实施第二蚀刻工艺，使用图案化的硬掩模作为蚀刻掩模，以使沟槽延伸至隔离部件的顶面；以及实施第三蚀刻工艺，使用图案化的硬掩模，以使沟槽延伸至隔离部件中。第一蚀刻工艺包括使用四氟化碳，并且不使用氧气。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011372171.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
