[发明专利]基于逆法拉第效应的温度传感器及系统在审
申请号: | 202011362556.7 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112484876A | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 西安柯莱特信息科技有限公司 |
主分类号: | G01K7/36 | 分类号: | G01K7/36;G01K11/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710119 陕西省西安市高新区高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本申请涉及基于逆法拉第效应的温度传感器及系统,具体而言,涉及温度测量装置,本申请提供的温度传感器包括:壳体、激光器、磁场探测器、活动挡板、热膨胀材料部、弹性材料部、贵金属微纳颗粒溶液;当需要对外界温度进行测量时,热膨胀材料部在温度的作用下发生形变,即当外界温度变化时,热膨胀材料部会朝着弹性材料部一侧形变,并带动活动挡板,当活动挡板的位置改变时,第二腔室中的贵金属微纳颗粒溶液的形状也会发生改变,相应的,光在该贵金属微纳颗粒溶液的传播路径发生改变,进而改变贵金属微纳颗粒溶液产生的磁场,通过磁场探测器检测磁场的变化情况,并根据磁场变化情况与待测温度的关系,得到待测温度。 | ||
搜索关键词: | 基于 法拉第 效应 温度传感器 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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