[发明专利]后段制造工艺的钝化层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202011356145.7 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN113380620B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 林宛瑶;陈旷举;杨炯仕 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 单晓双;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种后段制造工艺的钝化层结构及其制造方法。所述钝化层结构包括具有多条导线结构的半导体芯片、第一氧化层、旋涂式玻璃层、第二氧化层以及氮化物层。这些导线结构之间具有大于1.5的深宽比。第一氧化层则共形地沉积于导线结构的表面与半导体芯片的表面。旋涂式玻璃层位于每两条导线结构之间的第一氧化层上，且旋涂式玻璃层具有U型截面与0.3～0.8的第二深宽比。第二氧化层共形地沉积于第一氧化层的表面与旋涂式玻璃层的表面，氮化物层则位于第二氧化层上。 | ||
| 搜索关键词： | 后段 制造 工艺 钝化 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
