[发明专利]一种基于核-壳纳米柱阵列的深紫外探测器及其制备方法在审
申请号: | 202011337981.0 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112531070A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 黄凯;李冠錡;唐锐钒;高娜;李澄;李金钗;康俊勇 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/0336;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器及其制备方法。其中基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器包括衬底和位于衬底之上的氮化镓层,氮化镓层的上半部分形成氮化镓纳米柱阵列,氮化镓纳米柱阵列与包覆其上表面外的氧化镓构成核‑壳纳米柱阵列异质结;金属电极分别设在氮化镓层和氧化镓层表面的电极区域上,并形成肖特基接触。通过核‑壳异质结的形成可有效降低深紫外探测器的暗电流,提高器件的响应度,改善基于半导体异质结的光电探测器件性能。本发明提供的一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器,其结构简单,制备容易,便于规模化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 阵列 深紫 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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