[发明专利]LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化的方法在审
| 申请号： | 202011336847.9 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114551579A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 莫海锋 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化的方法。所述方法包括至少调整所述LDMOS器件的沟道掺杂区的掺杂分布，使所述LDMOS器件的半导体结构层内形成沟道价带能带的能谷，并使电子位于所述能谷内，从而在所述LDMOS器件的半导体结构层与栅氧化层之间形成势垒，所述势垒至少能够阻止电子轰击所述半导体结构层与栅氧化层的界面。本发明提供的方法能够提高热载流子注入效应的极限，使器件的导通电阻降低50％，饱和电流提升105％。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 抑制 载流子 效应 导致 退化 方法 | ||
【主权项】：
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