[发明专利]一种中子单色器用非完美单晶片的高温成形装置在审
申请号: | 202011335716.9 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112575386A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 谢炜;罗奕兵;仝永钢;余小峰;曹太山 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | C30B33/02 | 分类号: | C30B33/02;C30B29/08;C30B33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410114 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种中子单色器用非完美单晶片的高温成形装置,由加热电炉、温度控制系统、模具系统、加载系统、真空保护系统、辅助系统组成;加热电炉的炉口朝下,电炉具有垂直升降或炉膛开闭功能,由一端为通孔一端封闭的玻璃罩与阻挡法兰形成真空保护腔;玻璃罩并开设有操作口,模具由上、中、下模组成,中模为复合模具,由上模与中模组成一套整平模,中模与下模形成弯曲模具。本发明可同时让两片锗片参与成型,提高了生产效率,无须分步冷却至室温,可极大提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 中子 单色 器用 完美 晶片 高温 成形 装置 | ||
【主权项】:
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