[发明专利]薄膜沉积方法及基片在审
| 申请号： | 202011332178.8 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112466757A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 赵联波;王宽冒;张同文 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种薄膜沉积方法及基片，该薄膜沉积方法，包括循环执行以下步骤，直至基片上沉积的薄膜的厚度达到目标厚度：沉积步骤，将基片传入第一工艺腔室，向第一工艺腔室内通入沉积气体，将沉积气体激发为等离子体，使等离子体轰击第一工艺腔室中的靶材，在基片上沉积形成小于预设厚度的薄膜；刻蚀步骤，将基片传入第二工艺腔室，向第二工艺腔室内通入刻蚀气体，将刻蚀气体激发为等离子体，对沉积步骤中形成的薄膜进行刻蚀，蚀除薄膜的一部分。应用本申请，可以降低薄膜的中心与边缘的厚度和形貌差异，提高薄膜的方阻均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
