[发明专利]一种MAPbI3厚膜的表面处理方法有效

专利信息
申请号: 202011329619.9 申请日: 2020-11-24
公开(公告)号: CN112531110B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 唐江;牛广达;宋子豪;夏梦玲;巫皓迪 申请(专利权)人: 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
主分类号: H10K71/00 分类号: H10K71/00;H10K71/12;H10K71/40
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 詹守琴
地址: 436044 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明特别涉及一种MAPbI3厚膜的表面处理方法,属于钙钛矿膜制备技术领域,方法包括:获得MAPbI3厚膜初品;将MAPbI3厚膜初品的一个表面贴合PI膜一面,压制后,获得MAPbI3厚膜;在压制过程中,保持MAPbI3厚膜初品的温度恒定,且MAPbI3厚膜初品的温度为25℃‑120℃。通过将PI膜对MAPbI3厚膜表面进行覆盖并施压,处理方法工艺简单、处理成本低,提高了MAPbI3厚膜的密度,降低了MAPbI3厚膜的表面粗糙度,减少了表面悬挂键,从而降低变质发黄的可能,提高MAPbI3厚膜表面的光响应和表面载流子寿命,使得表面载流子寿命与靠近基底的MAPbI3厚膜背面近视相等。
搜索关键词: 一种 mapbi3 表面 处理 方法
【主权项】:
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